Номер детали производителя : | W63AH6NBVADE TR |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Winbond Electronics Corporation |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | W63AH6NBVADE TR.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | W63AH6NBVADE TR |
---|---|
производитель | Winbond Electronics Corporation |
Описание | IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | W63AH6NBVADE TR.pdf |
Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
Напряжение тока - поставка | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V |
Технологии | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Поставщик Упаковка устройства | 178-VFBGA (11x11.5) |
Серии | - |
Упаковка / | 178-VFBGA |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -25°C ~ 85°C (TC) |
Тип установки | Surface Mount |
Тип памяти | Volatile |
Размер памяти | 1Gbit |
Организация памяти | 64M x 16 |
Интерфейс памяти | HSUL_12 |
Формат памяти | DRAM |
Тактовая частота | 1.066 GHz |
Базовый номер продукта | W63AH6 |
Время доступа | 5.5 ns |
IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 4GBIT PAR 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 178VFBGA